ترانزیستور اثرمیدان 2N3966 -7V 1uA نوع N-Channel با ماکزیمم جریان های IG=1 uA وIDSS= 2 mA و ماکزیمم ولتاژ‌هایVDG= 20 V و VGS= -7 V و RDSon = 220 Ω با پکیج TO-72
ترانزیستور JFET دو کاناله 2N5906 40V 10 mA نوع N-Channel تقویت کننده چند منظوره با ماکزیمم جریان های IG=10 mA وIDSS= -15 mA و ماکزیمم ولتاژ‌هایVDG= 40 V و VGS= 40 V با پکیج TO-92
ترانزیستور JFET مدل 2SK156 20V 10 mA 100 mW نوع Si N-Channel با ماکزیمم جریان های IG= 10 mA وIDSS= 1.5 mA و ماکزیمم ولتاژ‌های VDS= 10 V و VDG= 20 V و PD = 100 Mw با پکیج TO-92
ترانزیستور اثرمیدان 2SK33 -20V 10 mA 150 mW نوع N-Channel تقویت کننده چند منظوره با ماکزیمم جریان های IG=10 mA وIDSS= 20 mA و ماکزیمم ولتاژ‌هایVDG= -20 V و VDS= 10 V و PD = 150 mW با پکیج TO-92
ترانزیستور اثرمیدان 2SK160 30V 10 mA 150 mW نوع Si N-Channel تقویت کننده AF و RF با ماکزیمم جریان های IG=10 mA وIDSS= 12 mA و ماکزیمم ولتاژ‌هایVDS= 30 V و VGS= -30 V و PD = 150 mW با پکیج SOT-23
ترانزیستور JFET مدل 2N3972 -40V 50 mA 300 mW نوع N-Channel با ماکزیمم جریان های IG=50 mA وIDSS= 30 mA و ماکزیمم ولتاژ‌هایVDG= 20 V و VGS= -40 V و PD = 300 Mw و RDSon = 100 Ω با پکیج TO-18
ترانزیستور JFET مدل J105 -25V -3 mA 350 mW نوع N-Channel با ماکزیمم جریان های IG=-3 mA وIDSS= 500 mA و ماکزیمم ولتاژ‌هایVDG= 25 V و VGS= -25 V و PD = 350 mW و RDSon = 3 Ω
ترانزیستور JFET مدل 2N4860 30V 50mA 360 mW نوع Si N-Channel با ماکزیمم جریان های IG=50mA وIDSS= 100 mA و ماکزیمم ولتاژ‌های VGS= -30V و VDS=30 V و PD =360 mW و RDS(ON)=40Ω
با پکیج TO-18
نقد و بررسی‌ها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.