فروشگاه ردرونیک > نیمه هادی ها > جِی فت (JFET) > N-CHANNEL JFET > ترانزیستور اثرمیدان 2N3966 -7V 1uA
Back to products
ماسفت قدرت 100 ولت 10 آمپر BUZ72A
تماس بگیرید
ترانزیستور اثرمیدان 2N3966 -7V 1uA
PartNumber | 2N3966 |
امتیازدهی 5.00 از 5 در 1 امتیازدهی مشتری
(1 بررسی مشتری)
1,320,000 ﷼
ترانزیستور اثرمیدان 2N3966 -7V 1uA نوع N-Channel با ماکزیمم جریان های IG=1 uA وIDSS= 2 mA و ماکزیمم ولتاژهایVDG= 20 V و VGS= -7 V و RDSon = 220 Ω با پکیج TO-72
*تصاویر صرفا برای معرفی بهتر محصولات هستند، لطفا مشخصات فنی محصولات را مطالعه نمایید.*
موجود
شناسه محصول:
SEMC-676
دسته: N-CHANNEL JFET, ترانزیستور, جِی فت (JFET), نیمه هادی ها
برچسب: 2N3966 JFET Transistor, JFET Transistor, Junction Field Effect Transistor, ترانزیستور 2N3966, ترانزیستور JFET, ترانزیستور اثر میدان, ترانزیستور اثر میدان 2N3966, ترانزیستور اثر میدان N-Channel, ترانزیستور جی فت, ترانزیستور جی فت 2N3966
توضیحات
ترانزیستور اثرمیدان 2N3966 -7V 1uA
ترانزیستور اثرمیدان 2N3966 -7V 1uA نوع N-Channel با ماکزیمم جریان های IG=1 uA وIDSS= 2 mA و ماکزیمم ولتاژهایVDG= 20 V و VGS= -7 V و RDSon = 220 Ω با پکیج TO-72
0/5
(0 نظر)
نظرات (1)
1 دیدگاه برای ترانزیستور اثرمیدان 2N3966 -7V 1uA
دیدگاه خود را بنویسید لغو پاسخ
شما هنوز هیچ محصولی را مشاهده نکرده اید.
hamidsadeghi2578 –
ماکزیمم جریان های IG=1 uA وIDSS= 2 mA