نیمه هادی ها > برگه 113

ترانزیستور JFET مدل 2N4341 -50V 50mA 300mW

21,600,000 
ترانزیستور JFET مدل 2N4341 -50V 50mA 300mW نوع N-Channel با ماکزیمم جریان های IG=50 mA وIDSS= 3 mA و ماکزیمم ولتاژ‌های VDS= 15 V و VGS= -50 V و PD = 300 Mw و RDSon = 800 Ω با پکیج TO-18

ماسفت قدرت 100 ولت 10 آمپر BUZ72A

تماس بگیرید
ماسفت قدرت 100 ولت 10 آمپر BUZ72A نوع N-Channel با ماکزیمم جریان ID=10 A و ماکزیمم ولتاژهای VDSS=100 V و VGS= ± 20 V و RDS=0.2 Ω و Ptot=40W دارای پکیج TO-220-AB

ترانزیستور اثرمیدان 2N3966 -7V 1uA

10,800,000 
ترانزیستور اثرمیدان 2N3966 -7V 1uA نوع N-Channel با ماکزیمم جریان های IG=1 uA وIDSS= 2 mA و ماکزیمم ولتاژ‌هایVDG= 20 V و VGS= -7 V و RDSon = 220 Ω با پکیج TO-72

فتودیود سیلیکونی S6968-1

4,350,600 
فتودیود سیلیکونی S6968-1 با حساسیت بالا و طول موج 850 نانومتر و زاویه دید 35 درجه

دیود TVS مدل 5.0SMDJ36A محافظ ESD

480,600 

دیود TVS مدل 5.0SMDJ36A محافظ ESD در 30kV(contact) و 30kV(Air) با جریان IR=5uA و ولتاژ VR=36V ، پکیج DO-214AB

ترایاک BTA08-600

450,000 
ترایاک BTA08-600 با ماکزیمم جریان IT=8A و ماکزیمم ولتاژهای VDRM=600V و توان 1 وات دارای پکیج TO-220

ماسفت قدرت 75 ولت 82 آمپر IRF2807 نوع N-Channel

599,400 
ماسفت IRF2807 نوع N-Channel با ماکزیمم جریان  ID=82 A و ماکزیمم ولتاژهای VDSS=75 V و VGS= 10 V و RDS=0.013 Ω دارای پکیج TO220AB

کریستال اس ام دی 16.000MHz مدل KX-7

2,100,600 
کریستال اس ام دی 16.000MHz مدل KX-7 با ابعاد 3.20mm x 0.8 mm x 2.5 mm و 30ppm و 12pF

ترانزیستور JFET مدل 2N5116 نوع P-Channel

12,000,600 
ترانزیستور JFET مدل 2N5116 نوع P-Channel با ماکزیمم جریان های IG=50 mA وID= 0.15 A و ماکزیمم ولتاژ VGDO=30 V

ترانزیستور آرایه ای M54587P نوع PNP

2,700,000 

ترانزیستور آرایه ای M54587P نوع PNP همراه با دیود clamp با ماکزیمم جریان IC=500mA و ماکزیمم ولتاژهای  10=VCC و  VCEO=–0.5 ~ +50 با پکیج 20P2N-A-FP

ترانزیستور قدرت 500 ولت 60 آمپر دارلینگتون MJ10016 نوع PNP

30,000,600 
ترانزیستور قدرت 500 ولت 60 آمپر دارلینگتون MJ10016 نوع PNP با ماکزیمم جریان IC=60 A و ماکزیمم ولتاژهای VCEO=500 V و VCB=700 V و VEBO=8 V با پکیج TO−3