ترانزیستور اثرمیدان 2SK519 30V 50 mA 350 mW

234,000 

ترانزیستور اثرمیدان 2SK519 30V 50 mA 350 mW نوع N-Channel تقویت کننده HF با ماکزیمم جریان های IG= 50 mA وIDSS= 60 mA و ماکزیمم ولتاژ‌ VGD= 30 V و PD = 350 mW با پکیج TO-92S

ترانزیستور اثرمیدان 2SK160 30V 10 mA 150 mW

86,580 

ترانزیستور اثرمیدان 2SK160 30V 10 mA 150 mW نوع Si N-Channel تقویت کننده AF و RF با ماکزیمم جریان های IG=10 mA وIDSS= 12 mA و ماکزیمم ولتاژ‌هایVDS= 30 V و VGS= -30 V و PD = 150 mW با پکیج SOT-23

ترانزیستور JFET مدل 2SK156 20V 10 mA 100 mW

155,220 

ترانزیستور JFET مدل 2SK156 20V 10 mA 100 mW نوع Si N-Channel با ماکزیمم جریان های IG= 10 mA وIDSS= 1.5 mA و ماکزیمم ولتاژ‌های VDS= 10 V و VDG= 20 V و PD = 100 Mw با پکیج TO-92

ترانزیستور JFET دو کاناله 2N5906 40V 10 mA

780,000 

ترانزیستور JFET دو کاناله 2N5906 40V 10 mA نوع N-Channel تقویت کننده چند منظوره با ماکزیمم جریان های IG=10 mA وIDSS= -15 mA و ماکزیمم ولتاژ‌هایVDG= 40 V و VGS= 40 V با پکیج TO-92

ترانزیستور JFET مدل 2N4341 -50V 50mA 300mW

3,120,000 

ترانزیستور JFET مدل 2N4341 -50V 50mA 300mW نوع N-Channel با ماکزیمم جریان های IG=50 mA وIDSS= 3 mA و ماکزیمم ولتاژ‌های VDS= 15 V و VGS= -50 V و PD = 300 Mw و RDSon = 800 Ω با پکیج TO-18

ترانزیستور اثرمیدان 2N3966 -7V 1uA

1,560,000 

ترانزیستور اثرمیدان 2N3966 -7V 1uA نوع N-Channel با ماکزیمم جریان های IG=1 uA وIDSS= 2 mA و ماکزیمم ولتاژ‌هایVDG= 20 V و VGS= -7 V و  RDSon = 220 Ω با پکیج TO-72