1 × “ترانزیستور 2SA440A” به سبد خرید شما اضافه شد. مشاهده سبد خرید
فروشگاه ردرونیک > نیمه هادی ها > ماسفت (MOSFET) > N-CHANNEL MOSFET > ماسفت قدرت 30 ولت 52 آمپر NDB6030L
ماسفت قدرت 55 ولت 64 آمپر IRFZ48
۳۵۶,۳۱۰ ﷼
ماسفت قدرت 60 ولت 60 آمپر MTP50N05
۳,۲۱۰,۰۰۰ ﷼
ماسفت قدرت 30 ولت 52 آمپر NDB6030L
| PartNumber | NDB6030L |
امتیازدهی ۵.۰۰ از ۵ در ۱ امتیازدهی مشتری
(۱ customer review)
۳,۲۱۰,۰۰۰ ﷼
ماسفت قدرت 30 ولت 52 آمپر NDB6030L نوع N-Channel با ماکزیمم جریان ID= 52 A و ماکزیمم ولتاژهای VDS= 30 V و VGS= ±16 V و RDS(on)= 0.020 Ω و PD= 75 W دارای پکیج TO-263AB
*تصاویر صرفا برای معرفی بهتر محصولات هستند، لطفا مشخصات فنی محصولات را مطالعه نمایید.*
موجود
شناسه محصول:
SemiC-17
Categories: N-CHANNEL MOSFET, ماسفت (MOSFET), نیمه هادی ها
Tags: N-Channel POWER MOSFET, NDB6030L, NDB6030L N-Channel POWER MOSFET, NDB6030L POWER MOSFET, power mosfet, تراتزیستور NDB6030L, ماسفت 75 W, ماسفت ۷۵ وات, ماسفت NDB6030L, ماسفت توان بالا, ماسفت قدرت ۳۰ ولت, ماسفت قدرت ۵۲ آمپر, ماسفت قدرت N-Channel, ماسفت قدرت NDB6030L, ماسفت وات بالا
توضیحات
ماسفت قدرت 30 ولت 52 آمپر NDB6030L
ماسفت قدرت 30 ولت 52 آمپر NDB6030L نوع N-Channel با ماکزیمم جریان ID= 52 A و ماکزیمم ولتاژهای VDS= 30 V و VGS= ±16 V و RDS(on)= 0.020 Ω و PD= 75 W دارای پکیج TO-263AB از کمپانی fairchiled
Features
52 A, 30 V. RDS(ON) = 0.0135 W @ VGS=10 V
RDS(ON) = 0.020 W @ VGS=4.5 V.
Critical DC electrical parameters specified at elevated temperature.
Rugged internal source-drain diode can eliminate the need
for an external Zener diode transient suppressor.
High density cell design for extremely low RDS(ON).
175°C maximum junction temperature rating.
۰/۵
(۰ نظر)
نظرات (۱)
۱ دیدگاه برای ماسفت قدرت 30 ولت 52 آمپر NDB6030L
دیدگاه خود را بنویسید لغو پاسخ
محصولات مرتبط
ترانزیستور قدرت دارلینگتون 2SB939 -60V -8A
ترانزیستور 2SC2551 300V 100mA
۱۷۸,۶۹۰ ﷼
امتیاز ۵.۰۰ از ۵

hamidsadeghi2578 –
از کمپانی Fairchild Semiconductor