ترانزیستور JFET مدل J105 -25V -3 mA 350 mW نوع N-Channel با ماکزیمم جریان های IG=-3 mA وIDSS= 500 mA و ماکزیمم ولتاژهایVDG= 25 V و VGS= -25 V و PD = 350 mW و RDSon = 3 Ω
ترانزیستور JFET مدل 2N3972 -40V 50 mA 300 mW نوع N-Channel با ماکزیمم جریان های IG=50 mA وIDSS= 30 mA و ماکزیمم ولتاژهایVDG= 20 V و VGS= -40 V و PD = 300 Mw و RDSon = 100 Ω با پکیج TO-18
ترانزیستور اثرمیدان 2SK33 -20V 10 mA 150 mW نوع N-Channel تقویت کننده چند منظوره با ماکزیمم جریان های IG=10 mA وIDSS= 20 mA و ماکزیمم ولتاژهایVDG= -20 V و VDS= 10 V و PD = 150 mW با پکیج TO-92
ترانزیستور JFET مدل 2SK49 20V 10 mA 72 mW نوع N-Channel با ماکزیمم جریان های IG= 10 mA وIDSS= 10 mA و ماکزیمم ولتاژهای VDS= 20 V و VGS= -1 Vو VGD= -20 V و PD = 72 mW با پکیج TO-92
ترانزیستور اثرمیدان 2SK34 -50V 10 mA 150 mW نوع N-Channel تقویت کننده چند منظوره با ماکزیمم جریان های IG=10 mA وIDSS= 12 mA و ماکزیمم ولتاژهایVDG= -50 V و VDS= 10 V و PD = 150 mW با پکیج TO-92
ترانزیستور JFET مدل 2SK128 30V 10 mA 250 mW نوع Si N-Channel با ماکزیمم جریان های IG= 10 mA وIDSS= 12 mA و ماکزیمم ولتاژهای VDS= 30 V و VGS= 30 V و VGD= 30 V و PD = 250 Mw با پکیج TO-92
ترانزیستور JFET مدل 2SK772 -40V 20 mA 300 mW نوع N-Channel با ماکزیمم جریان های IG=10 mA وIDSS= 20 mA و ماکزیمم ولتاژهایVDG=-40 V و VDSX= 40 V و PD = 300 mW با پکیج TO-92
ترانزیستور JFET مدل 2SK715 15V 50 mA 300 mW نوع N-Channel با ماکزیمم جریان های IG=10mA وIDSS= 50 mA و ماکزیمم ولتاژهایVGDS= -15 V و VDSS= 15 V و PD = 300 mW پکیج TO-92
ترانزیستور اثرمیدان 2N3820 20V 10 mA 350 mW نوع P-Channel تقویت کننده چند منظوره با ماکزیمم جریان های IG=10 mA وIDSS= -15 mA و ماکزیمم ولتاژهایVDG= -20 V و VGS= 20 V و PD = 350 mW با پکیج TO-92
ترانزیستور JFET مدل 2N4860 30V 50mA 360 mW نوع Si N-Channel با ماکزیمم جریان های IG=50mA وIDSS= 100 mA و ماکزیمم ولتاژهای VGS= -30V و VDS=30 V و PD =360 mW و RDS(ON)=40Ω
با پکیج TO-18
ترانزیستور JFET مدل 2SK65 12V 2 mA 20 mW نوع Si N-Channel با ماکزیمم جریان های IG= 2 mA وIDSS= 0.8 mA و ماکزیمم ولتاژهای VDS= 12 V و VGD= -12 V و PD = 20 mW با پکیج TO-92