نیمه هادی ها > برگه 5

نمایش 97–120 از 1358 نتیجه


ماسفت N کانال DN2535N3-G

700,890 
  • قطبیت ترانزیستور: N کانال
  • تعداد کانال: 1
  • ولتاژ درین-سورس : 350V
  • مقاومت درین-سورس: 25ohm
  • دمای عملیاتی: 55- تا 150 درجه سانتی‌گراد
  • مد کانال : تخلیه
  • پکیج: TO-92-3

ترانزیستور JFET مدل 2N3972 -40V 50 mA 300 mW

3,660 

ترانزیستور JFET مدل 2N3972 -40V 50 mA 300 mW نوع N-Channel با ماکزیمم جریان های IG=50 mA وIDSS= 30 mA و ماکزیمم ولتاژ‌هایVDG= 20 V و VGS= -40 V و PD = 300 Mw و RDSon = 100 Ω با پکیج TO-18

ترانزیستور BC548B 30V 100mA نوع NPN

12,200 

ترانزیستور BC548B 30V 100mA نوع NPN دارای مقادیر VCE= 30 V و IC= 100 mA و Ft= 300 MHz و PT= 625 mW با پکیج TO-92

دیود P6K220A

109,800 
  • نوع : TVS
  • ولتاژ: 220V
  • توان : 5W
  • پکیج : DO-204AC (DO-15)
  • برند : VISHAY

ترانزیستور JFET مدل 2N4393 نوع N-Channel

854,000 
ترانزیستور JFET مدل 2N4393 نوع N-Channel با ماکزیمم جریان های IG=50 mA وID= 0.15 A و ماکزیمم ولتاژ VGDO=40 V

ماسفت قدرت 650 ولت 20.7 آمپر 20N60C3

1,220,000 
  • نوع: N-Channel
  •  ماکزیمم جریان: ID= 20.7 A
  • ماکزیمم ولتاژها: VDS= 650 V و VGS= ± 20 V و RDS(on)= 0.19 Ω و PD= 208 W
  •  پکیج: PG-TO220

دیود سوئیچینگ سرعت بالا CD1206-S01575

61,000 

دیود سوئیچینگ سرعت بالا CD1206-S01575 با جریان های IF=150 mA و Isurge=4 A ،  ولتاژ های VR=75 V و VRRM=100 V ، سرعت 4ns و پکیج 1206

ترانزیستور 2SK33 20V 10mA 150mW

34,160 

ترانزیستور اثرمیدان 2SK33 -20V 10 mA 150 mW نوع N-Channel تقویت کننده چند منظوره با ماکزیمم جریان های IG=10 mA وIDSS= 20 mA و ماکزیمم ولتاژ‌هایVDG= -20 V و VDS= 10 V و PD = 150 mW با پکیج TO-92

فتودیود سیلیکونی SFH2440

847,290 

فتودیود سیلیکونی SFH2440 با طول موج 400 تا 690 نانومتر

ترانزیستور 2SA497 -80V -800mA نوع PNP

67,710 

ترانزیستور 2SA497 -80V -800mA نوع PNP دارای مقادیر VCE= -50 V و IC= -800 mA و FT= 70 MHz و Pc= 600 mW با پکیج TO-39