فروشگاه ردرونیک > نیمه هادی ها > جِی فت (JFET) > N-CHANNEL JFET > ترانزیستور اثرمیدان 2SK160 30V 10 mA 150 mW
ماسفت 60 ولت 0.5 آمپر bs170
160,500 ﷼
ترانزیستور اثرمیدان 2SK160 30V 10 mA 150 mW
| PartNumber | 2SK160 |
امتیازدهی 5.00 از 5 در 1 امتیازدهی مشتری
(1 customer review)
356,310 ﷼
ترانزیستور اثرمیدان 2SK160 30V 10 mA 150 mW نوع Si N-Channel تقویت کننده AF و RF با ماکزیمم جریان های IG=10 mA وIDSS= 12 mA و ماکزیمم ولتاژهایVDS= 30 V و VGS= -30 V و PD = 150 mW با پکیج SOT-23
*تصاویر صرفا برای معرفی بهتر محصولات هستند، لطفا مشخصات فنی محصولات را مطالعه نمایید.*
ناموجود
این محصول در حال حاضر موجود نمیباشد اگر به این محصول نیاز دارید اطلاعات زیر را تکمیل کنید
شناسه محصول:
SEMC-536
Categories: N-CHANNEL JFET, جِی فت (JFET), نیمه هادی ها
Tags: 2SK160 JFET Transistor, JFET Transistor, Junction Field Effect Transistor, ترانزیستور 2SK160, ترانزیستور JFET, ترانزیستور اثر میدان, ترانزیستور اثر میدان 2SK160, ترانزیستور اثر میدان N-Channel, ترانزیستور جی فت, ترانزیستور جی فت 2SK160
توضیحات
ترانزیستور اثرمیدان 2SK160 30V 10 mA 150 mW
ترانزیستور اثرمیدان 2SK160 30V 10 mA 150 mW نوع Si N-Channel تقویت کننده AF و RF با ماکزیمم جریان های IG=10 mA وIDSS= 12 mA و ماکزیمم ولتاژهایVDS= 30 V و VGS= -30 V و PD = 150 mW با پکیج SOT-23
0/5
(0 نظر)
نظرات (1)
1 دیدگاه برای ترانزیستور اثرمیدان 2SK160 30V 10 mA 150 mW
دیدگاه خود را بنویسید لغو پاسخ
محصولات مرتبط
ترانزیستور 2SC2551 300V 100mA
178,690 ﷼
امتیاز 5.00 از 5

hamidsadeghi2578 –
تقویت کننده AF و RF با ماکزیمم جریان های IG=10 mA وIDSS= 12 mA