LTC1151CSW دو تقویت‌کنندهٔ Zero-Drift را برای اندازه‌گیری دقیق سیگنال‌های کوچک فراهم می‌کند. خازن‌های نمونه‌برداری موردنیاز ساختار جبران Offset درون تراشه قرار دارند و به قطعهٔ خارجی مربوط به این بخش نیاز نیست. مدل CSW دارای بدنهٔ SOIC پهن 16پایه است؛ دقت DC بالا به رعایت نشتی برد، اثر ترموکوپل اتصالات و شرایط تغذیه وابسته است.
مشخصات فنی LTC1151CSW
| مشخصه فنی | مقدار |
|---|---|
| کانال / پکیج | 2؛ SOIC-16 پهن، پسوند SW |
| تغذیه | 4.75 تا 36V مجموع؛ مشخصات اصلی جدول در ±15V |
| GBW / Slew Rate جدول الکتریکی | 2MHz / 2.5V/µs معمول؛ ±15V، RL=10kΩ، CL=50pF برای SR |
| Offset | ±0.5µV معمول، ±5µV حداکثر؛ ±15V، 25°C |
| رانش Offset | ±0.01µV/°C معمول، ±0.05µV/°C حداکثر |
| Bias ورودی | ±15pA معمول، ±100pA حداکثر؛ 25°C |
| مصرف هر کانال | 0.9mA معمول، 1.5mA حداکثر؛ ±15V، بی‌بار، 25°C |
| نویز کم‌فرکانس | 1.5µV پیک‌تاپیک؛ 0.1 تا 10Hz، RS=100Ω |
| محدودهٔ ورودی | −15 تا +12V تضمین‌شده؛ تغذیهٔ ±15V |
| دمای درجهٔ C | 0 تا +70°C |
ویژگی‌ها و مزایای کاربردی
| ویژگی | فایده کاربردی |
|---|---|
| جبران داخلی Offset | کاهش خطای DC و رانش |
| خازن‌های داخلی نمونه‌برداری | کاهش قطعات خارجی بخش جبران |
نحوهٔ عملکرد
با فیدبک منفی، شبکهٔ خارجی بهره و پاسخ فرکانسی مدار را تعیین می‌کند. برای انتخاب بهره باید هم پهنای باند سیگنال کوچک و هم محدودیت تغییر سریع خروجی در دامنهٔ موردنظر بررسی شوند.
کاربردها
تقویت ترموکوپل، کرنش‌سنج، ترازوی الکترونیکی و داده‌برداری دقیق.
نکات طراحی و محدودیت‌ها
بای‌پس تغذیه را نزدیک قطعه قرار دهید. مسیرهای ورودی را تمیز و از اختلاف دمای اتصالات و نشتی محافظت کنید. ورودی نباید پیش از تغذیه از منبع مستقل فعال شود. اشباع می‌تواند بازیابی را کند کند؛ دامنهٔ سیگنال و پایداری با بار خازنی را بررسی کنید.
