2SC281 یک ترانزیستور سیلیکونی NPN برای تقویت رادیوفرکانسی است. جدول فنی مرجع Japanese Transistor Manual 1981 برای نسخهٔ منتسب به Hitachi، حد ولتاژ کلکتورـبیس VCBO برابر 30 V، جریان کلکتور 100 mA و توان تلفاتی 200 mW در دمای محیط 25°C را درج می‌کند. این ولتاژ مربوط به کلکتور و بیس است و نباید حد کلکتورـامیتر VCEO تلقی شود. حد دمای پیوند در جدول 175°C است؛ توان و جریان قابل استفادهٔ واقعی به بایاس و دفع گرما وابسته‌اند. برای انتخاب جایگزین در مدارهای قدیمی، قطعه باید با نوع قطبیت و مشخصات فرکانسی مدار تطبیق داده شود. پیش از نصب، شکل بدنه و ترتیب پایه‌ها را با نسخهٔ سازنده بررسی کنید؛ جریان بیس، کاهش توان با دما و محدودهٔ عملکرد ایمن باید در نقطهٔ کار واقعی رعایت شوند.
ترانزیستور 2SC281 -50V 150mA
85,315 ﷼
2SC281 ترانزیستور سیلیکونی NPN برای تقویت رادیوفرکانسی است. جدول مرجع Japanese Transistor Manual 1981 برای نسخهٔ Hitachi، حد VCBO برابر 30 V، جریان 100 mA و توان 200 mW در دمای محیط 25°C را درج می‌کند.
دسترسی: موجود
No product_doc found.
هیچ پروژه‌ای یافت نشد.
No faq found.
هیچ سند فنی برای این محصول یافت نشد.
