2SC3390 برای تقویت سیگنال در پیش‌تقویت‌کننده‌های صوتی و طبقات HF طراحی شده است. بایاس بیس، نقطهٔ کار مسیر کلکتور–امیتر را تعیین می‌کند.
مشخصات فنی
| مشخصه فنی | مقدار |
|---|---|
| نوع و قطبیت | BJT سیلیکونی NPN |
| VCEO (حداکثر) | 50 V |
| IC پیوسته (حداکثر) | 100 mA |
| توان مجاز (حداکثر) | 0.3 W؛ Ta=25°C |
| hFE | 100–320؛ VCE=12 V، IC=2 mA، Ta=25°C |
| VCE(sat) | حداکثر 0.2 V؛ IC=10 mA، IB=1 mA، Ta=25°C |
| پکیج | SPAK، پایه‌دار |
| پایه‌ها | ۱: امیتر؛ ۲: کلکتور؛ ۳: بیس (شماره‌گذاری دیتاشیت) |
کاربرد و نکات طراحی
در مدارهای تقویت سیگنال ضعیف کاربرد دارد. بایاس و مقاومت‌های مدار را با توجه به بهره انتخاب کنید. چیدمان و اتصال زمین در عملکرد مدار مؤثرند؛ پایه‌ها را پیش از نصب تطبیق دهید.
